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SiC和GaN，战斗才刚刚开始
GaN和SiC器件比它们正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有数以亿计的此类设备，其中许多每天运行数小时，因此节省的能源将是巨大的。
SiC/GaN，海外巨头疯狂扩产
以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料逐渐崭露头角，凭借其高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，展现巨大的市场前景，正成为全球半导体市场争夺的焦点。
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