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GaN市场，蓄势待发
GaN作为第三代宽禁带半导体核心材料之一，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性，是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料。重磅！英伟达最新800V架构供应商名单曝光、英诺赛科成中国唯一入选芯片企业
在WAIC 2025“高效、智能、绿色”的主题下，这场由供电技术引发的能效革命，正为全球AI产业的可持续发展注入新动能。曾毓群投她：英诺赛科要IPO了
公司身后是一位女博士，骆薇薇。2017年，英诺赛科成立，她带队攻克鲜少有人敢尝试的8英吋硅基氮化镓工艺技术。7年过去，英诺赛科已坐拥全球最大的8英吋硅基氮化镓晶圆制造厂，估值超200亿元。至今，骆薇薇...女科学家带出一个IPO，估值超235亿
作为海归创业项目，英诺赛科背后投资机构阵容庞大，还有地方支持，骆微微向自己创业生涯的第 一个IPO发起冲击。「英诺赛科」完成近30亿元D轮融资，钛信资本领投
英诺赛科于2015年成立，是第三代半导体硅基氮化镓领域全球龙头，也是全球唯一实现同时量产氮化镓高、低压芯片的IDM企业。
半导体产业纵横
投资界综合
王露
陈晓
猎云网
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